関口 貴子

関口 貴子 氏名
関口 貴子 (せきぐち あつこ)
学位
東北大学 工学博士
職位
主任研究員:2015年4月-
専門
材料物性学(工学博士)

学位

1999年 東北大学工学部卒業
2001年 東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻 修士課程修了(工学修士)
2004年 東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻 博士課程修了(工学博士)

職歴

2004年 ポストドクター
IMEC(半導体デバイス材料研究、ルーベン)
2006年 日本学術振興会特別研究員
東北大学大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
2008年 富士通研究所シリコンテクノロジ開発部
2009年4月 特別研究員(産総研ポストドクター)
産業技術総合研究所(AIST)ナノチューブ応用研究センター
スーパーグロースCNTチーム
2012年4月 特別研究員(産総研ポストドクター)
産業技術総合研究所(AIST)ナノチューブ応用研究センター
スーパーグロースCNT用途開発チーム
2013年4月 特別研究員(産総研ポストドクター)
産業技術総合研究所(AIST)ナノチューブ応用研究センター
CNT用途開発チーム
2014年4月 主任研究員
産業技術総合研究所(AIST)ナノチューブ応用研究センター
CNT用途開発チーム
2015年4月 主任研究員
産業技術総合研究所(AIST)ナノチューブ実用化研究センター
CNT用途チーム

筆頭論文

1-8. Robust and Soft Elastomeric Electronics Tolerant to Our Daily Lives
Atsuko Sekiguchi, Fumiaki Tanaka, Takeshi Saito, Yuki Kuwahara, Shunsuke Sakurai, Don N. Futaba, Takeo Yamada, and Kenji Hata
Nano Letters, 15, 5716-5723 (2015)

1-7. Finite Element Method Analysis of Nanoscratch Test for the Evaluation of Interface Adhesion Strength in Cu Thin Films on Si Substrate
Atsuko Sekiguchi and Junichi Koike
Jpn. J. Appl. Phys. 47, 249-256 (2008)

1-6. Evaluation of Interface Adhesion Strength in Cu/(Ta-x% N, Ta/TaN)/SiO2/Si by Nanoscratch Test
Atsuko Sekiguchi and Junichi Koike
Jpn. J. Appl. Phys. 47, 1042-1049 (2008)

1-5. Influence of mass density and mechanical properties on the surface acoustic wave velocity dispersion
Atsuko Sekiguchi, Sywert H Brongersma and Karen Maex
Microelectronic Engineering 83, 2368-2372 (2006)

1-4. Microstructual Influences on Stressmigration in Electroplated Cu Metallization
Atsuko Sekiguchi, Junichi Koike and Kouichi Maruyama
Appl. Phys. Lett., 83, 1962-1964 (2003)

1-3. Formation of Slit-Like Voids at Trench Corners of Damascene Cu Interconnects
Atsuko Sekiguchi, Junichi Koike and Kouichi Maruyama
Mater. Trans, 43, 1633-1637 (2002)

1-2. Void Formation by Thermal Stress Concentration at Twin Interfaces in Cu Thin Films
Atsuko Sekiguchi, Junichi Koike, Shouji Kamiya, Masumi Saka, and Kouichi Maruyama
Appl. Phys. Lett, 79, 1264-1266 (2001)

1-1. Microstructural and Morphological Changes during Thermal Cycling of Cu Thin Films
Atsuko Sekiguchi, Junichi Koike and Kouichi Maruyama
J. Japan Inst. Metals, 64, 379-382(2000)

非筆頭論文

2-7. Nano-scale, planar and multi-tiered current pathways from Carbon nanotube-Copper with high conductivity, ampacity, and stability
Chandramouli Subramaniam, Atsuko Sekiguchi, Takeo Yamada, Don N. Futaba and Kenji Hata
Nanoscale, 8 (7), 3888-3894 (2016)

2-6. A Phenomenological Model for Selective Growth of Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotube Based on Catalyst Deactivation
Shunsuke Sakurai, Maho Yamada, Hiroko Sakurai, Atsuko Sekiguchi, Don N. Futaba, and Kenji Hata
Nanoscale, 8, 1015-1023 (2016)

2-5. Lithographically Integrated Microsupercapacitors for Compact, High Performance, and Designable Energy Circuits
Karolina U. Laszczyk, Kazufumi Kobashi, Shunsuke Sakurai, Atsuko Sekiguchi, Don N. Futaba, Takeo Yamada, and Kenji Hata
Advanced Energy Materials, 5 (18), 1500741 (2015)

2-4. One hundred fold increase in current carrying capacity in a carbon nanotube-copper composite
Chandramouli Subramaniam, Takeo Yamada, Kazufumi Kobashi, Atsuko Sekiguchi, Don N. Futaba, Motoo Yumura, and Kenji Hata
Nature Communications, 4, 2202 (2013)

2-3. Torsion-Sensing Material from Aligned Carbon Nanotubes Wound onto a Rod Demonstrating Wide Dynamic Range
Takeo Yamada, Yuki Yamamoto, Yuhei Hayamizu, Atsuko Sekiguchi, Hiroyuki Tanaka, Kazufumi Kobashi, Don N. Futaba, and Kenji Hata
ACS Nano, 7 (4), 3177-3182 (2013)

2-2. Hierarchical Three-dimensional Layer-by-Layer Assembly of Carbon Nanotube Wafers for Integrated Nanoelectronic Devices
Takeo Yamada, Natsumi Makimoto, Atsuko Sekiguchi, Yuki Yamamoto, Kazufumi Kobashi, Yuhei Hayamizu, Yoshiki Yomogida, Hiroyuki Tanaka, Hisashi Shima, Hiroyuki Akinaga, Don Futaba and Kenji Hata
Nano Letters, 12 (9), 4540-4545 (2012)

2-1. Phase formation and growth kinetics of an interface layer in Ni/SiC
Kenichiro Terui, Atsuko Sekiguchi, Hiroshi Yoshizaki and Junichi Koike
Materials Science Forum, 600-603, pp. 631-634 (2009)